STGW40H65DFB vs STGW40S120DF3

STGW40H65DFB과 STGW40S120DF3에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

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Specification STGW40H65DFB STGW40S120DF3
Supplier STMicroelectronics STMicroelectronics
Part Status Active Obsolete
IGBT Type Trench Field Stop Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 650 V 1200 V
Current - Collector(Ic)(Max) 80 A 80 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 160 A 160 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2V @ 15V, 40A 2.15V @ 15V, 40A
Power - Max 283 W 468 W
Switching Energy 498µJ (on), 363µJ (off) 1.43mJ (on), 3.83mJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 210 nC 129 nC
Td(on / off) @ 25°C 40ns/142ns 35ns/148ns
Test Condition 400V, 40A, 5Ohm, 15V 600V, 40A, 15Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 62 ns 355 ns
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole