STGW60H65DFB vs STGW60V60DF

STGW60H65DFB과 STGW60V60DF에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part B

STGW60V60DF

ST마이크로일렉트로닉스(주)

Lifecycle
Active
Stock
4362 PCS
Package
TO-247
Series
트랜지스터 -IGBT-싱글
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Specification STGW60H65DFB STGW60V60DF
Part Status Last Time Buy Active
IGBT Type Trench Field Stop Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 650 V 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 80 A 80 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 240 A 240 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2V @ 15V, 60A 2.3V @ 15V, 60A
Power - Max 375 W 375 W
Switching Energy 1.09mJ (on), 626µJ (off) 750µJ (on), 550µJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 306 nC 334 nC
Td(on / off) @ 25°C 51ns/160ns 60ns/208ns
Test Condition 400V, 60A, 5Ohm, 15V 400V, 60A, 4.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 60 ns 74 ns
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
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