APTM100A13DG

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APTM100A13DG

+BOM

MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

  • 제조업체마이크로칩 기술

  • 제조업체 부품 #APTM100A13DG

  • 패키지 SP-6

  • 재고9045

365 1일 품질 보증

7*24 영업 시간 서비스 보증

90-판매 후 1일 보증

정품 보증

사양

속성 가치
Supplier Microchip Technology
Package / Case Bulk
Part Status Active
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 65A
Rds On(Max) @ Id Vgs 156mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 6mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 562nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 15200pF @ 25V
Power - Max 1250W
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount

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