이미지는 참조용입니다.
APTM100H80FT1G
+BOMMOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
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제조업체미고삼미 회사
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제조업체 부품 #APTM100H80FT1G
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데이터시트 APTM100H80FT1G DataSheet
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패키지 SP-1
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재고3782
365 1일 품질 보증
7*24 영업 시간 서비스 보증
90-판매 후 1일 보증
정품 보증
사양
| 속성 | 가치 |
| Supplier | Microchip Technology |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | 4 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 11A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 960mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 3876pF @ 25V |
| Power - Max | 208W |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
