APTM100VDA35T3G

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APTM100VDA35T3G

+BOM

MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

  • 제조업체미고삼미 회사

  • 제조업체 부품 #APTM100VDA35T3G

  • 패키지 SP-3

  • 재고9101

365 1일 품질 보증

7*24 영업 시간 서비스 보증

90-판매 후 1일 보증

정품 보증

사양

속성 가치
Supplier Microchip Technology
Package / Case Bulk
Series POWER MOS 7®
Part Status Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 22A
Rds On(Max) @ Id Vgs 420mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 186nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 5200pF @ 25V
Power - Max 390W
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount

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