BSZ0910NDXTMA1

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BSZ0910NDXTMA1

+BOM

DIFFERENTIATED MOSFETS

365 1일 품질 보증

7*24 영업 시간 서비스 보증

90-판매 후 1일 보증

정품 보증

사양

속성 가치
Supplier Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk
Series OptiMOS™
Part Status Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 9.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On(Max) @ Id Vgs 9.5mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 5.6nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 800pF @ 15V
Power - Max 1.9W (Ta), 31W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

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