이미지는 참조용입니다.
FDMD86100
+BOMPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
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제조업체비조 반도체 회사
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제조업체 부품 #FDMD86100
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데이터시트 FDMD86100 DataSheet
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패키지 WDFN-8
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재고8554
365 1일 품질 보증
7*24 영업 시간 서비스 보증
90-판매 후 1일 보증
정품 보증
사양
| 속성 | 가치 |
| Supplier | Rochester Electronics, LLC |
| Package / Case | Bulk |
| Series | PowerTrench® |
| Part Status | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 10A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 10.5mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 2060pF @ 50V |
| Power - Max | 2.2W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
