이미지는 참조용입니다.
FGA30T65SHD
+BOMINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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제조업체비조 반도체 회사
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제조업체 부품 #FGA30T65SHD
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데이터시트 FGA30T65SHD DataSheet
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패키지 TO-3P-3
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재고5414
365 1일 품질 보증
7*24 영업 시간 서비스 보증
90-판매 후 1일 보증
정품 보증
사양
| 속성 | 가치 |
| Supplier | Rochester Electronics, LLC |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) | 650 V |
| Current - Collector(Ic)(Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed(Icm) | 90 A |
| Vce(on)(Max) @ Vge Ic | 2.1V @ 15V, 30A |
| Power - Max | 238 W |
| Switching Energy | 598µJ (on), 167µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 54.7 nC |
| Td(on / off) @ 25°C | 14.4ns/52.8ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 6Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 31.8 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |