이미지는 참조용입니다.
G08P06D3
+BOMP60V,RD(MAX)<52M@-10V,VTH-2V~-3.
-
제조업체Goford 반도체
-
제조업체 부품 #G08P06D3
-
재고5683
365 1일 품질 보증
7*24 영업 시간 서비스 보증
90-판매 후 1일 보증
정품 보증
사양
| 속성 | 가치 |
| Supplier | Goford Semiconductor |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Part Status | Active |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 52mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 2972 pF @ 30 V |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-DFN (3.15x3.05) |
