이미지는 참조용입니다.
G4S06508JT
+BOMSIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A 2-PIN
-
제조업체글로벌 전력 기술 GPT
-
제조업체 부품 #G4S06508JT
-
데이터시트 G4S06508JT DataSheet
-
재고5474
365 1일 품질 보증
7*24 영업 시간 서비스 보증
90-판매 후 1일 보증
정품 보증
사양
| 속성 | 가치 |
| Supplier | Global Power Technology-GPT |
| Package | Cut Tape (CT),Tape & Box (TB) |
| ProductStatus | Active |
| DiodeType | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 650 V |
| Current-AverageRectified(Io) | 23.5A (DC) |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1.7 V @ 8 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 0 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 50 µA @ 650 V |
| Capacitance@VrF | 395pF @ 0V, 1MHz |
| MountingType | Through Hole |
| Package/Case | TO-220-2 Isolated Tab |
| SupplierDevicePackage | TO-220ISO |
