G4S06530BT

이미지는 참조용입니다.

G4S06530BT

+BOM

SIC SCHOTTKY DIODE 650V 30A 3-PI

  • 제조업체유니버설 전력 과학 기술 유한 회사

  • 제조업체 부품 #G4S06530BT

  • 패키지 TO-247-3

  • 재고4315

365 1일 품질 보증

7*24 영업 시간 서비스 보증

90-판매 후 1일 보증

정품 보증

사양

속성 가치
Supplier Global Power Technology Co. Ltd
Package / Case Bulk
Part Status Active
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V
Current - Average Rectified(Io)(per Diode) 39A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 15 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 50 µA @ 650 V
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Mounting Type Through Hole

G4S06530BT과 관련된 제품