이미지는 참조용입니다.
G5S06510QT
+BOMSIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A DFN8
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제조업체글로벌 전력 기술 GPT
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제조업체 부품 #G5S06510QT
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데이터시트 G5S06510QT DataSheet
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패키지 4-PowerTSFN
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재고7408
365 1일 품질 보증
7*24 영업 시간 서비스 보증
90-판매 후 1일 보증
정품 보증
사양
| 속성 | 가치 |
| Supplier | Global Power Technology-GPT |
| Package | Cut Tape (CT),Tape & Box (TB) |
| ProductStatus | Active |
| DiodeType | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 650 V |
| Current-AverageRectified(Io) | 53A (DC) |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 1.5 V @ 10 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 0 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 50 µA @ 650 V |
| Capacitance@VrF | 645pF @ 0V, 1MHz |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | 4-PowerTSFN |
| SupplierDevicePackage | 4-DFN (8x8) |
