이미지는 참조용입니다.
G5S12008H
+BOMSIC SCHOTTKY DIODE 1200V 8A 2-PI
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제조업체유니버설 전력 과학 기술 유한 회사
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제조업체 부품 #G5S12008H
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데이터시트 G5S12008H DataSheet
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패키지 TO-220-2
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재고6976
365 1일 품질 보증
7*24 영업 시간 서비스 보증
90-판매 후 1일 보증
정품 보증
사양
| 속성 | 가치 |
| Supplier | Global Power Technology Co. Ltd |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Active |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Current - Average Rectified(Io) | 16A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 1200 V |
| Capacitance @ Vr F | 550pF @ 0V, 1MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220F |
