이미지는 참조용입니다.
GA10JT12-263
+BOMTRANS SJT 1200V 25A
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제조업체GeneSiC 반도체
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제조업체 부품 #GA10JT12-263
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재고7110
365 1일 품질 보증
7*24 영업 시간 서비스 보증
90-판매 후 1일 보증
정품 보증
사양
| 속성 | 가치 |
| Supplier | GeneSiC Semiconductor |
| Package | Tube |
| ProductStatus | Active |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 1200 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 25A (Tc) |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 120mOhm @ 10A |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 1403 pF @ 800 V |
| PowerDissipation(Max) | 170W (Tc) |
| OperatingTemperature | 175°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
