GT1003D

이미지는 참조용입니다.

GT1003D

+BOM

N100V,RD(MAX)<130M@10V,RD(MAX)<1

  • 제조업체Goford 반도체

  • 제조업체 부품 #GT1003D

  • 재고5401

365 1일 품질 보증

7*24 영업 시간 서비스 보증

90-판매 후 1일 보증

정품 보증

사양

속성 가치
Supplier Goford Semiconductor
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 3A
Rds On(Max) @ Id Vgs 130mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.6V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 5.2 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 212 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package SOT-23-3L