이미지는 참조용입니다.
GT100N12T
+BOMN120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
-
제조업체Goford 반도체
-
제조업체 부품 #GT100N12T
-
재고70
365 1일 품질 보증
7*24 영업 시간 서비스 보증
90-판매 후 1일 보증
정품 보증
사양
| 속성 | 가치 |
| Supplier | Goford Semiconductor |
| Package / Case | Tube |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 10mOhm @ 35A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 3050 pF @ 60 V |
| Power Dissipation (Max) | 120W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220 |
