GT10J312(Q)

이미지는 참조용입니다.

GT10J312(Q)

+BOM

IGBT 600V 10A 60W TO220SM

  • 제조업체도시바 반도체 및 스토리지

  • 제조업체 부품 #GT10J312(Q)

  • 패키지 TO-252-3

  • 재고8116

365 1일 품질 보증

7*24 영업 시간 서비스 보증

90-판매 후 1일 보증

정품 보증

사양

속성 가치
Supplier Toshiba Semiconductor and Storage
Package / Case Tube
Part Status Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 10 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 20 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.7V @ 15V, 10A
Power - Max 60 W
Input Type Standard
Td(on / off) @ 25°C 400ns/400ns
Test Condition 300V, 10A, 100Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 200 ns
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

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