GT60N321(Q)

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GT60N321(Q)

+BOM

IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

  • 제조업체도시바 반도체 및 스토리지

  • 제조업체 부품 #GT60N321(Q)

  • 패키지 TO-3PL

  • 재고4428

365 1일 품질 보증

7*24 영업 시간 서비스 보증

90-판매 후 1일 보증

정품 보증

사양

속성 가치
Supplier Toshiba Semiconductor and Storage
Package Tube
ProductStatus Obsolete
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) 1000 V
Current-Collector(Ic)(Max) 60 A
Current-CollectorPulsed(Icm) 120 A
Vce(on)(Max)@VgeIc 2.8V @ 15V, 60A
Power-Max 170 W
InputType Standard
Td(on/off)@25°C 330ns/700ns
ReverseRecoveryTime(trr) 2.5 µs
OperatingTemperature 150°C (TJ)
MountingType Through Hole
Package/Case TO-3PL

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