이미지는 참조용입니다.
IDB09E60ATMA1
+BOMDIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263
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제조업체인피니티 테크놀로지
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제조업체 부품 #IDB09E60ATMA1
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데이터시트 IDB09E60ATMA1 DataSheet
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패키지 TO-263-3
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재고4998
365 1일 품질 보증
7*24 영업 시간 서비스 보증
90-판매 후 1일 보증
정품 보증
사양
| 속성 | 가치 |
| Supplier | Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Bulk |
| Part Status | Obsolete |
| Diode Type | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Current - Average Rectified(Io) | 19.3A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2 V @ 9 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 600 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
