이미지는 참조용입니다.
IDB18E120ATMA1
+BOMDIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3
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제조업체인피니티 테크놀로지
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제조업체 부품 #IDB18E120ATMA1
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데이터시트 IDB18E120ATMA1 DataSheet
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재고7396
365 1일 품질 보증
7*24 영업 시간 서비스 보증
90-판매 후 1일 보증
정품 보증
사양
| 속성 | 가치 |
| Supplier | Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC |
| Package | Tape & Reel (TR),Bulk |
| ProductStatus | Obsolete |
| DiodeType | Standard |
| Voltage-DCReverse(Vr)(Max) | 1200 V |
| Current-AverageRectified(Io) | 31A (DC) |
| Voltage-Forward(Vf)(Max)@If | 2.15 V @ 18 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ReverseRecoveryTime(trr) | 195 ns |
| Current-ReverseLeakage@Vr | 100 µA @ 1200 V |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| SupplierDevicePackage | PG-TO263-3-2 |
