이미지는 참조용입니다.
IRF5806TRPBF
+BOMMOSFET P-CH 20V 4A MICRO6
-
제조업체인피니티 테크놀로지
-
제조업체 부품 #IRF5806TRPBF
-
데이터시트 IRF5806TRPBF DataSheet
-
재고4265
365 1일 품질 보증
7*24 영업 시간 서비스 보증
90-판매 후 1일 보증
정품 보증
사양
| 속성 | 가치 |
| Supplier | Infineon Technologies |
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | HEXFET® |
| ProductStatus | Obsolete |
| FETType | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 20 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 4A (Ta) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 2.5V, 4.5V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 86mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 1.2V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 11.4 nC @ 4.5 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 594 pF @ 15 V |
| PowerDissipation(Max) | 2W (Ta) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| SupplierDevicePackage | Micro6™(TSOP-6) |
