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IRFB3006GPBF
+BOMMOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
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제조업체국제 정류기
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제조업체 부품 #IRFB3006GPBF
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데이터시트 IRFB3006GPBF DataSheet
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재고8744
365 1일 품질 보증
7*24 영업 시간 서비스 보증
90-판매 후 1일 보증
정품 보증
사양
| 속성 | 가치 |
| Supplier | Rochester Electronics, LLC |
| Package / Case | Bulk |
| Series | HEXFET® |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 195A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 2.5mOhm @ 170A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 300 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 8970 pF @ 50 V |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
