IXTA6N100D2HV

이미지는 참조용입니다.

IXTA6N100D2HV

+BOM

MOSFET N-CH 1000V 6A TO263HV

  • 제조업체IXYS 회사

  • 제조업체 부품 #IXTA6N100D2HV

  • 재고4827

365 1일 품질 보증

7*24 영업 시간 서비스 보증

90-판매 후 1일 보증

정품 보증

사양

속성 가치
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series Depletion
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 6A (Tj)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 0V
Rds On(Max) @ Id Vgs 2.2Ohm @ 3A, 0V
Vgs(th)(Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 95 nC @ 5 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 2650 pF @ 10 V
FET Feature Depletion Mode
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-263HV

IXTA6N100D2HV과 관련된 제품