IXTT10N100D2

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IXTT10N100D2

+BOM

MOSFET N-CH 1000V 10A TO268

  • 제조업체IXYS 회사

  • 제조업체 부품 #IXTT10N100D2

  • 재고9344

365 1일 품질 보증

7*24 영업 시간 서비스 보증

90-판매 후 1일 보증

정품 보증

사양

속성 가치
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series Depletion
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 1.5Ohm @ 5A, 10V
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 200 nC @ 5 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 5320 pF @ 25 V
FET Feature Depletion Mode
Power Dissipation (Max) 695W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-268AA

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