이미지는 참조용입니다.
PMDPB28UN,115
+BOMMOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6
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제조업체은지포미국주식회사
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제조업체 부품 #PMDPB28UN,115
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데이터시트 PMDPB28UN,115 DataSheet
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재고9704
365 1일 품질 보증
7*24 영업 시간 서비스 보증
90-판매 후 1일 보증
정품 보증
사양
| 속성 | 가치 |
| Supplier | NXP USA Inc.,Rochester Electronics, LLC |
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk |
| ProductStatus | Obsolete |
| FETType | 2 N-Channel (Dual) |
| FETFeature | Logic Level Gate |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 20V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 4.6A |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 37mOhm @ 4.6A, 4.5V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 1V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 4.7nC @ 4.5V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 265pF @ 10V |
| Power-Max | 510mW |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | 6-UDFN Exposed Pad |
