R6009JND3TL1

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R6009JND3TL1

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MOSFET N-CH 600V 9A TO252

  • 제조업체

  • 제조업체 부품 #R6009JND3TL1

  • 재고8733

365 1일 품질 보증

7*24 영업 시간 서비스 보증

90-판매 후 1일 보증

정품 보증

사양

속성 가치
Supplier Rohm Semiconductor
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 15V
Rds On(Max) @ Id Vgs 585mOhm @ 4.5A, 15V
Vgs(th)(Max) @ Id 7V @ 1.38mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 22 nC @ 15 V
Vgs(Max) ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 645 pF @ 100 V
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-252

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