이미지는 참조용입니다.
RP1E090XNTCR
+BOMMOSFET N-CH 30V 9A MPT6
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제조업체롬
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제조업체 부품 #RP1E090XNTCR
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데이터시트 RP1E090XNTCR DataSheet
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재고9171
365 1일 품질 보증
7*24 영업 시간 서비스 보증
90-판매 후 1일 보증
정품 보증
사양
| 속성 | 가치 |
| Supplier | Rohm Semiconductor |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Part Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 9A (Ta) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 17mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 6.8 nC @ 5 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 440 pF @ 10 V |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | MPT6 |
