SCT2750NYTB

이미지는 참조용입니다.

SCT2750NYTB

+BOM

SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268

  • 제조업체

  • 제조업체 부품 #SCT2750NYTB

  • 재고6960

365 1일 품질 보증

7*24 영업 시간 서비스 보증

90-판매 후 1일 보증

정품 보증

사양

속성 가치
Supplier Rohm Semiconductor
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1700 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 5.9A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 18V
Rds On(Max) @ Id Vgs 975mOhm @ 1.7A, 18V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 630µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 17 nC @ 18 V
Vgs(Max) +22V, -6V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 275 pF @ 800 V
Power Dissipation (Max) 57W (Tc)
Operating Temperature 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-268

SCT2750NYTB과 관련된 제품