SCT50N120

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SCT50N120

+BOM

SICFET N-CH 1200V 65A HIP247

  • 제조업체ST마이크로일렉트로닉스(주)

  • 제조업체 부품 #SCT50N120

  • 재고509

365 1일 품질 보증

7*24 영업 시간 서비스 보증

90-판매 후 1일 보증

정품 보증

사양

속성 가치
Supplier STMicroelectronics
Package Tube
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 65A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 20V
RdsOn(Max)@IdVgs 69mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 122 nC @ 20 V
Vgs(Max) +25V, -10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1900 pF @ 400 V
PowerDissipation(Max) 318W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 200°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage HiP247™

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