이미지는 참조용입니다.
SI4532DY
+BOMPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
-
제조업체비조 반도체 회사
-
제조업체 부품 #SI4532DY
-
데이터시트 SI4532DY DataSheet
-
패키지 SOIC-8
-
재고7661
365 1일 품질 보증
7*24 영업 시간 서비스 보증
90-판매 후 1일 보증
정품 보증
사양
| 속성 | 가치 |
| Supplier | Rochester Electronics, LLC |
| Package / Case | Bulk |
| Part Status | Active |
| FET Type | N and P-Channel |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 3.9A, 3.5A |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 65mOhm @ 3.9A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 235pF @ 10V |
| Power - Max | 900mW |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
