이미지는 참조용입니다.
STD1HNC60T4
+BOMMOSFET N-CH 600V 2A DPAK
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제조업체ST마이크로일렉트로닉스(주)
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제조업체 부품 #STD1HNC60T4
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데이터시트 STD1HNC60T4 DataSheet
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재고4472
365 1일 품질 보증
7*24 영업 시간 서비스 보증
90-판매 후 1일 보증
정품 보증
사양
| 속성 | 가치 |
| Supplier | STMicroelectronics |
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | PowerMESH™ II |
| ProductStatus | Obsolete |
| FETType | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 600 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 2A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 5Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 15.5 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±30V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 228 pF @ 25 V |
| PowerDissipation(Max) | 50W (Tc) |
| OperatingTemperature | 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| SupplierDevicePackage | DPAK |
