이미지는 참조용입니다.
STH400N4F6-6
+BOMMOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6
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제조업체ST마이크로일렉트로닉스(주)
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제조업체 부품 #STH400N4F6-6
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데이터시트 STH400N4F6-6 DataSheet
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재고6981
365 1일 품질 보증
7*24 영업 시간 서비스 보증
90-판매 후 1일 보증
정품 보증
사양
| 속성 | 가치 |
| Supplier | STMicroelectronics |
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI |
| ProductStatus | Obsolete |
| FETType | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 40 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 180A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 1.15mOhm @ 60A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4.5V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 404 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 20500 pF @ 25 V |
| PowerDissipation(Max) | 300W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| SupplierDevicePackage | H2PAK-6 |
