WNSC2D08650DJ

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WNSC2D08650DJ

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SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE

  • 제조업체서에너지 반도체

  • 제조업체 부품 #WNSC2D08650DJ

  • 패키지 TO-252-3

  • 재고7663

365 1일 품질 보증

7*24 영업 시간 서비스 보증

90-판매 후 1일 보증

정품 보증

사양

속성 가치
Supplier WeEn Semiconductors
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Part Status Active
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V
Current - Average Rectified(Io) 8A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 8 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 40 µA @ 650 V
Capacitance @ Vr F 260pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package DPAK

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