C3M0065090J vs C3M0015065K 비교
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패키지
TO-247-4
TO-263-7
설명
SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L
SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Series
C3M™
C3M™
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
900 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
120A (Tc)
35A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
15V
15V
Rds On(Max) @ Id Vgs
21mOhm @ 55.8A, 15V
78mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th)(Max) @ Id
3.6V @ 15.5mA
2.1V @ 5mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
188 nC @ 15 V
30 nC @ 15 V
Vgs(Max)
+15V, -4V
+19V, -8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
5011 pF @ 400 V
660 pF @ 600 V
Power Dissipation (Max)
416W (Tc)
113W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Surface Mount
