CSD87335Q3D vs CSD87330Q3D

CSD87335Q3D과 CSD87330Q3D에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD87335Q3D

텍사스 인스트루먼트(주)

Lifecycle
Active
Stock
6547 PCS
Series
트랜지스터-FET, MOSFET-FET, MOSFET 어레이
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Part B

CSD87330Q3D

텍사스 인스트루먼트(주)

Lifecycle
Active
Stock
4721 PCS
Package
LDFN-8
Series
트랜지스터 -FET, MOSFET - 어레이
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Specification CSD87335Q3D CSD87330Q3D
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
Base Product Number CSD87335Q3 -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 30V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.4nC @ 4.5V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1050pF @ 15V -
Power - Max 6W 6W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
FET Type - 2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature - Logic Level Gate
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 20A
Vgs(th)(Max) @ Id - 2.1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 5.8nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 900pF @ 15V
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