CSD87330Q3D vs CSD87335Q3D

CSD87335Q3D과 CSD87330Q3D에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수, REACH 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소를 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 애플리케이션에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다. 더 자세한 정보는 해당 데이터시트를 참조하거나 당사 영업팀에 문의하여 설계에 적합한 부품을 선택하는 데 도움을 받으십시오.
사양
CSD87335Q3D

+BOM

6547 PCS | 텍사스 인스트루먼트(주)
CSD87330Q3D

+BOM

4721 PCS | 텍사스 인스트루먼트(주)
패키지 LDFN-8
설명 MOSFET 2N-CH 30V 8LSON MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active -
Base Product Number CSD87335Q3 -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V -
Vgs(th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.4nC @ 4.5V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1050pF @ 15V -
Power - Max 6W -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
ProductStatus - Active
FETType - 2 N-Channel (Half Bridge)
FETFeature - Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) - 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C - 20A
Vgs(th)(Max)@Id - 2.1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs - 5.8nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds - 900pF @ 15V
Power-Max - 6W
OperatingTemperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType - Surface Mount
비교 모델 : CSD87335Q3D CSD87330Q3D

+BOM 견적 요청(RFQ)