FDC6561AN vs FDC655BN
FDC655BN과 FDC6561AN에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수, REACH 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소를 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 애플리케이션에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다. 더 자세한 정보는 해당 데이터시트를 참조하거나 당사 영업팀에 문의하여 설계에 적합한 부품을 선택하는 데 도움을 받으십시오.
패키지
SSOT-6
SSOT-6
설명
MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
2 N-Channel (Dual)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30 V
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
6.3A (Ta)
2.5A
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
4.5V, 10V
-
RdsOn(Max)@IdVgs
25mOhm @ 6.3A, 10V
95mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
15 nC @ 10 V
3.2nC @ 5V
Vgs(Max)
±20V
-
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
570 pF @ 15 V
220pF @ 15V
PowerDissipation(Max)
1.6W (Ta)
-
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
FETFeature
-
Logic Level Gate
Power-Max
-
700mW
