FDC6561AN vs FDC658AP

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사양
FDC658AP

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6010 PCS | 비조 반도체 회사
FDC6561AN

+BOM

2632 PCS | 온세미
패키지 SSOT-6 SSOT-6
설명 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Series PowerTrench® PowerTrench®
ProductStatus Active Active
FETType P-Channel 2 N-Channel (Dual)
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 4A (Ta) 2.5A
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V -
RdsOn(Max)@IdVgs 50mOhm @ 4A, 10V 95mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 8.1 nC @ 5 V 3.2nC @ 5V
Vgs(Max) ±25V -
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 470 pF @ 15 V 220pF @ 15V
PowerDissipation(Max) 1.6W (Ta) -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
FETFeature - Logic Level Gate
Power-Max - 700mW
비교 모델 : FDC658AP FDC6561AN

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