FDC658AP vs FDC653N

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사양
FDC653N

+BOM

5502 PCS | 온세미
FDC658AP

+BOM

6010 PCS | 비조 반도체 회사
패키지 SSOT-6 SSOT-6
설명 MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 5A (Ta) 4A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 35mOhm @ 5A, 10V 50mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2V @ 250µA 3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 17 nC @ 10 V 8.1 nC @ 5 V
Vgs(Max) ±20V ±25V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 350 pF @ 15 V 470 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Series - PowerTrench®
비교 모델 : FDC653N FDC658AP

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