FDG6322C vs FDG6303N_G

FDG6322C과 FDG6303N_G에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDG6322C

온세미

Lifecycle: Active
Stock: 4629 PCS
Package: SC-88
Series: 트랜지스터 -FET, MOSFET - 어레이

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Part B

FDG6303N_G

온세미

Lifecycle: Active
Stock: 4760 PCS
Package: SC-88
Series: 트랜지스터 -FET, MOSFET - 어레이

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Full specification comparison

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Specification	FDG6322C	FDG6303N_G
Supplier	onsemi	onsemi
Part Status	Active	Obsolete
FET Type	N and P-Channel	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V	25V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	220mA, 410mA	500mA
Rds On(Max) @ Id Vgs	4Ohm @ 220mA, 4.5V	450mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	1.5V @ 250µA	1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	0.4nC @ 4.5V	2.3nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	9.5pF @ 10V	50pF @ 10V
Power - Max	300mW	300mW
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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