IRF7380PBF vs IRF7303PBF

IRF7380PBF과 IRF7303PBF에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7380PBF

인피니티 테크놀로지

Lifecycle: Active
Stock: 3152 PCS
Package: SOIC-8
Series: 트랜지스터 -FET, MOSFET - 어레이

+BOM 견적 요청(RFQ)

Part B

IRF7303PBF

인피니티 테크놀로지

Lifecycle: Active
Stock: 3102 PCS
Package: SOIC-8
Series: 트랜지스터 -FET, MOSFET - 어레이

+BOM 견적 요청(RFQ)

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

견적 요청(RFQ) Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRF7380PBF	IRF7303PBF
Supplier	Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC	Infineon Technologies
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Discontinued at Digi-Key	Discontinued at Digi-Key
FET Type	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V	30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	3.6A	4.9A
Rds On(Max) @ Id Vgs	73mOhm @ 2.2A, 10V	50mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	4V @ 250µA	1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	23nC @ 10V	25nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	660pF @ 25V	520pF @ 25V
Power - Max	2W	2W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare 견적 요청(RFQ)