IRF7380PBF vs IRF7306PBF

IRF7380PBF과 IRF7306PBF에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7380PBF

인피니티 테크놀로지

Lifecycle: Active
Stock: 3152 PCS
Package: SOIC-8
Series: 트랜지스터 -FET, MOSFET - 어레이

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Part B

IRF7306PBF

인피니티 테크놀로지

Lifecycle: Active
Stock: 7981 PCS
Package: SOIC-8
Series: 트랜지스터 -FET, MOSFET - 어레이

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Full specification comparison

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Specification	IRF7380PBF	IRF7306PBF
Supplier	Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC	Infineon Technologies
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Discontinued at Digi-Key	Discontinued at Digi-Key
FET Type	2 N-Channel (Dual)	2 P-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V	30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	3.6A	3.6A
Rds On(Max) @ Id Vgs	73mOhm @ 2.2A, 10V	100mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	4V @ 250µA	1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	23nC @ 10V	25nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	660pF @ 25V	440pF @ 25V
Power - Max	2W	2W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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