IRF7842TRPBF vs IRF7815TRPBF

IRF7842TRPBF과 IRF7815TRPBF에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7842TRPBF

인피니티 테크놀로지

Lifecycle: Active
Stock: 4070 PCS
Package: SOIC-8
Series: 트랜지스터 -FET, MOSFET - 싱글

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Part B

IRF7815TRPBF

인피니티 테크놀로지

Lifecycle: Active
Stock: 5071 PCS
Package: SOIC-8
Series: 트랜지스터 -FET, MOSFET - 싱글

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Full specification comparison

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Specification	IRF7842TRPBF	IRF7815TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V	150 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	18A (Ta)	5.1A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	5mOhm @ 17A, 10V	43mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	2.25V @ 250µA	5V @ 100µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	50 nC @ 4.5 V	38 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	4500 pF @ 20 V	1647 pF @ 75 V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta)	2.5W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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