IRGP35B60PDPBF vs IRGP30B120KDPBF

IRGP35B60PDPBF과 IRGP30B120KDPBF에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRGP35B60PDPBF

인피니티 테크놀로지

Lifecycle: Active
Stock: 3801 PCS
Package: TO-247-3
Series: 트랜지스터 -IGBT-싱글

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Part B

IRGP30B120KDPBF

인피니티 테크놀로지

Lifecycle: Active
Stock: 7687 PCS
Package: TO-247-3
Series: 트랜지스터 -IGBT-싱글

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Full specification comparison

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Specification	IRGP35B60PDPBF	IRGP30B120KDPBF
Supplier	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Part Status	Obsolete	Obsolete
IGBT Type	NPT	NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	600 V	1200 V
Current - Collector(Ic)(Max)	60 A	60 A
Current - Collector Pulsed(Icm)	120 A	120 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic	2.55V @ 15V, 35A	4V @ 15V, 60A
Power - Max	308 W	300 W
Switching Energy	220µJ (on), 215µJ (off)	1.07mJ (on), 1.49mJ (off)
Input Type	Standard	Standard
Gate Charge	160 nC	169 nC
Test Condition	390V, 22A, 3.3Ohm, 15V	600V, 25A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	42 ns	300 ns
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole
Td(on / off) @ 25°C	26ns/110ns	-

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