IRGP35B60PDPBF vs IRGP35B60PD-EP

IRGP35B60PDPBF과 IRGP35B60PD-EP에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRGP35B60PDPBF

인피니티 테크놀로지

Lifecycle: Active
Stock: 3801 PCS
Package: TO-247-3
Series: 트랜지스터 -IGBT-싱글

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Part B

IRGP35B60PD-EP

인피니티 테크놀로지

Lifecycle: Active
Stock: 2708 PCS
Package: TO-247-3
Series: 트랜지스터 -IGBT-싱글

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Full specification comparison

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Specification	IRGP35B60PDPBF	IRGP35B60PD-EP
Supplier	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Part Status	Obsolete	Obsolete
IGBT Type	NPT	NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	600 V	600 V
Current - Collector(Ic)(Max)	60 A	60 A
Current - Collector Pulsed(Icm)	120 A	120 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic	2.55V @ 15V, 35A	2.55V @ 15V, 35A
Power - Max	308 W	308 W
Switching Energy	220µJ (on), 215µJ (off)	220µJ (on), 215µJ (off)
Input Type	Standard	Standard
Gate Charge	160 nC	160 nC
Td(on / off) @ 25°C	26ns/110ns	26ns/110ns
Test Condition	390V, 22A, 3.3Ohm, 15V	390V, 22A, 3.3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	42 ns	42 ns
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

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