SI2309CDS-T1-E3 vs SI2305-TP

SI2309CDS-T1-E3과 SI2305-TP에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part B

SI2305-TP

마이크로 커머셜 컴퍼니

Lifecycle
Active
Stock
6247 PCS
Package
SOT-23
Series
트랜지스터 -FET, MOSFET - 싱글
+BOM 견적 요청(RFQ)

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

견적 요청(RFQ) Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification SI2309CDS-T1-E3 SI2305-TP
Series TrenchFET® -
Part Status Active Active
FET Type P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V 8 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 1.6A (Tc) 4.1A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs 345mOhm @ 1.25A, 10V 90mOhm @ 2A, 1.8V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA 900mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 4.1 nC @ 4.5 V 15 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V ±8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 210 pF @ 30 V -
Power Dissipation (Max) 1W (Ta), 1.7W (Tc) 350mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare 견적 요청(RFQ)