STF10NM60N vs STF1060

STF10NM60N과 STF1060에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수, REACH 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소를 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 애플리케이션에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다. 더 자세한 정보는 해당 데이터시트를 참조하거나 당사 영업팀에 문의하여 설계에 적합한 부품을 선택하는 데 도움을 받으십시오.
사양
STF10NM60N

+BOM

5252 PCS | ST마이크로일렉트로닉스(주)
STF1060

+BOM

757 PCS | SMC 다이오드 솔루션즈(주)
패키지 TO-220F TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
설명 MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP DIODE SCHOTTKY 60V ITO220AC
Supplier - SMC Diode Solutions
ProductStatus Active Active
DiodeType - Schottky
Voltage-DCReverse(Vr)(Max) - 60 V
Voltage-Forward(Vf)(Max)@If - 650 mV @ 10 A
Speed - Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current-ReverseLeakage@Vr - 850 µA @ 60 V
MountingType Through Hole Through Hole
Series MDmesh™ II -
FETType N-Channel -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
DraintoSourceVoltage(Vdss) 600 V -
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 10A (Tc) -
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V -
RdsOn(Max)@IdVgs 550mOhm @ 4A, 10V -
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA -
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 19 nC @ 10 V -
Vgs(Max) ±25V -
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 540 pF @ 50 V -
PowerDissipation(Max) 25W (Tc) -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
비교 모델 : STF10NM60N STF1060

+BOM 견적 요청(RFQ)