C3M0120065D

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C3M0120065D

+BOM

650V 120M SIC MOSFET

  • 제조업체Wolfspeed, 주식회사.

  • 제조업체 부품 #C3M0120065D

  • 재고70

365 1일 품질 보증

7*24 영업 시간 서비스 보증

90-판매 후 1일 보증

정품 보증

사양

속성 가치
Supplier Wolfspeed, Inc.
Package / Case Tube
Series C3M™
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 22A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 15V
Rds On(Max) @ Id Vgs 157mOhm @ 6.76A, 15V
Vgs(th)(Max) @ Id 3.6V @ 1.86mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 28 nC @ 15 V
Vgs(Max) +19V, -8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 640 pF @ 400 V
Power Dissipation (Max) 98W (Tc)
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247-3

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