SI4966DY-T1-GE3

이미지는 참조용입니다.

SI4966DY-T1-GE3

+BOM

MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC

365 1일 품질 보증

7*24 영업 시간 서비스 보증

90-판매 후 1일 보증

정품 보증

사양

속성 가치
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR)
Series TrenchFET®
Part Status Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Rds On(Max) @ Id Vgs 25mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 50nC @ 4.5V
Power - Max 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

SI4966DY-T1-GE3과 관련된 제품