SI5920DC-T1-GE3

이미지는 참조용입니다.

SI5920DC-T1-GE3

+BOM

MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8

365 1일 품질 보증

7*24 영업 시간 서비스 보증

90-판매 후 1일 보증

정품 보증

사양

속성 가치
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series TrenchFET®
Part Status Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 4A
Rds On(Max) @ Id Vgs 32mOhm @ 6.8A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 12nC @ 5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 680pF @ 4V
Power - Max 3.12W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

SI5920DC-T1-GE3과 관련된 제품