SI6562DQ-T1-E3

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SI6562DQ-T1-E3

+BOM

MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP

  • 제조업체실리콘 닉스

  • 제조업체 부품 #SI6562DQ-T1-E3

  • 패키지 TSSOP-8

  • 재고2018

365 1일 품질 보증

7*24 영업 시간 서비스 보증

90-판매 후 1일 보증

정품 보증

사양

속성 가치
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Cut Tape (CT)
Series TrenchFET®
Part Status Obsolete
FET Type N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Rds On(Max) @ Id Vgs 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 600mV @ 250µA (Min)
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 25nC @ 4.5V
Power - Max 1W
Mounting Type Surface Mount

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